三星和SK海力士這兩個(gè)全球最大的存儲(chǔ)器廠商在8月份的加州圣克拉拉快閃存儲(chǔ)器峰會(huì)上發(fā)布了他們的3D NAND創(chuàng)新成果。
三星表示該公司名為V-NAND的3D快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品已經(jīng)在第二季度開(kāi)始商用化生產(chǎn)。其終端產(chǎn)品將會(huì)是480千兆字節(jié)以及960千兆字節(jié)的V-NAND固態(tài)硬盤,初期目標(biāo)是企業(yè)市場(chǎng)。V-NAND將比1 x納米NAND更可靠、功耗更低,并且順序?qū)懭牒碗S機(jī)寫入的性能更高。
IHS預(yù)計(jì)基于V-NAND的固態(tài)硬盤和基于傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器的固態(tài)硬盤的價(jià)格將會(huì)有較大差距,這也就是三星將該產(chǎn)品的目標(biāo)市場(chǎng)首先定位為企業(yè)市場(chǎng)的原因。
三星的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士也在計(jì)劃生產(chǎn)3D NAND,其初期的3D產(chǎn)品將類似于三星的V-NAND,容量達(dá)到128千兆字節(jié)。不過(guò)這只是SK海力士雙向策略中的一部分,該公司同時(shí)還在開(kāi)發(fā)16納米產(chǎn)品。
隨著三星和海力士SK已經(jīng)開(kāi)始3D NAND開(kāi)發(fā),投入生產(chǎn)的時(shí)間比預(yù)期更快,且進(jìn)展速度也大大快于業(yè)界期望。
盡管如此,其他存儲(chǔ)器廠商仍然決定至少再生產(chǎn)一代平面NAND,將3D計(jì)劃日程推后。這些廠商包括SanDisk、美光和日本東芝。
不過(guò),初期3D NAND生產(chǎn)將是有限的,并且由于產(chǎn)品多層結(jié)構(gòu)的原因,故障分析比較困難。IHS認(rèn)為,高性能產(chǎn)品在企業(yè)應(yīng)用中的初期增長(zhǎng)將有助于廠商獲利以及工藝成熟。盡管如此,3D技術(shù)要對(duì)整個(gè)行業(yè)增長(zhǎng)做出顯著貢獻(xiàn)還有待時(shí)日。
無(wú)論如何,NAND的3D競(jìng)賽已經(jīng)打響,尚未對(duì)這一技術(shù)變革做出響應(yīng)的NAND廠商將會(huì)感受到壓力。