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隨著傳統(tǒng)的半導體制造技術(shù)在NAND flash領(lǐng)域即將達到極限，存儲器芯片廠商紛紛開始采用3D生產(chǎn)技術(shù)以提高產(chǎn)能。
根據(jù)IHS的報告顯示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快閃存儲器芯片將采用3D技術(shù)，而在2013年這一比例僅為1%。2014年采用3D技術(shù)的快閃存儲器芯片比例將增至5.2%，2015年則將飆升至30.2%。到了2016年這一比例將擴大至49.8%，幾乎占整個快閃存儲器市場的一半。
“普遍認為采用傳統(tǒng)平面半導體技術(shù)的NAND flash再經(jīng)過一代或兩代就將達到理論極限，”IHS內(nèi)存和存儲高級分析師Dee Robinson表示�！半S著平面印刷技術(shù)進一步萎縮，NAND的性能和可靠性將僅適合極低成本的消費性產(chǎn)品。在未來幾年，由于NAND廠商被迫開發(fā)更高密度和更低價格的產(chǎn)品，因此將會迅速向3D制造轉(zhuǎn)移�！�
全球3D NAND占整個NAND Flash存儲器出貨量的比例預測（出貨量的百分比）
媒體平板和智能手機是促使NAND廠商不斷改進其產(chǎn)品的主要驅(qū)動力。這些設(shè)備要求更高的容量和更便宜的存儲內(nèi)容，包括圖片、音樂和視頻。
過去，NAND flash廠商采用小型化以增加容量和降低成本。小型化是指通過一系列技術(shù)縮小NAND flash單元，以實現(xiàn)在每片晶圓上增加比特容量。采用3D技術(shù)，其重點便由小型化轉(zhuǎn)移到通過分層疊加NAND flash單元以增加密度。這將是把NAND推向下一代的最具經(jīng)濟效益的方式，因為大多數(shù)現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備都可以繼續(xù)使用，在縮減成本的同時最大化投資回報。
